Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK1K2A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK1K2A60F
TK1K2A60F,S4X Hakkında
Toshiba TK1K2A60F,S4X, 600V N-Channel MOSFET transistörü olup yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paket içinde gelen bu bileşen, 6A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 35W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılır. ±30V gate-source voltaj aralığı ve 21nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, alanında yoğun güç elektronikleri tasarımlarında güvenilir bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok