Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK1K0A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK1K0A60F
TK1K0A60F,S4X Hakkında
TK1K0A60F,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve motor kontrolü sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 1Ohm maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 40W güç tüketimi kapasitesine sahip olan transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında stabilite gösterir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş bir çalışma aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 770µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok