Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK190U65Z,RQ
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK190U65Z
TK190U65Z,RQ Hakkında
TK190U65Z,RQ, Toshiba tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. DTMOS VI teknolojisine dayalı bu bileşen, maksimum 15A drain akımı ve 190mΩ RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. 130W güç dağıtma kapasitesine ve 150°C çalışma sıcaklığına sahip olan transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 25nC ve input capacitance 1370pF'dir. Surface Mount 8-PowerSFN paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme sistemleri, inverterler, motor sürücüleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TOLL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 610µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok