Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK190A65Z,S4X
MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK190A65Z
TK190A65Z,S4X Hakkında
Toshiba TK190A65Z,S4X, N-Channel MOSFET transistörü, 650V drain-source voltaj ve 15A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum rds(on) değeri 190mOhm (7.5A, 10V koşullarında) olup, 40W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Gate charge 25nC (@10V), input kapasitansi 1370pF (@300V) ve Vgs threshold voltajı 4V (@610µA)'dır. ±30V maksimum gate-source voltajı ile çalışabilen bu transistör, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığına dayanır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor sürücüleri gibi yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 610µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok