Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK18A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK18A50D
TK18A50D(STA4,Q,M) Hakkında
Toshiba TK18A50D(STA4,Q,M), 500V dayanımı ve 18A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 270mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. ±30V kapı voltaj aralığında çalışabilen ve 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında güvenli işletme sunan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve indüktif yükler için tasarlanmıştır. 50W güç saçma kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok