Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK17V65W,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK17V65W
TK17V65W,LQ Hakkında
TK17V65W,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilim ve 17.3A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 210mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 45nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. 156W maksimum güç hızlama kapasitesi ile endüstriyel inverterler, şarj cihazları, güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde kullanılabilir. 4-DFN-EP (8x8) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında işletme kolaylığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 8.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok