Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK17N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK17N65W
TK17N65W,S1F Hakkında
TK17N65W,S1F, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 17.3A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 200mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özelliği sunar. 45nC gate charge ve 1800pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon gerçekleştirir. Endüstriyel güç kaynakları, motorlu sistem kontrol devrelerine ve elektrik araç şarj sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak kullanılır. ±30V gate voltage aralığı ile esnek sürücü tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 8.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok