Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK17E80W,S1X
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK17E80W
TK17E80W,S1X Hakkında
TK17E80W,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 17A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürüş voltajında 290mOhm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 180W güç disipasyonu kapasitesiyle endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 850µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok