Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK17E65W,S1X
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK17E65W
TK17E65W,S1X Hakkında
TK17E65W,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 17.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 200mΩ maksimum gate-source direnci sayesinde anahtarlama devrelerinde düşük enerji kaybı sağlar. Gate yükü 45nC, input kapasitesi 1800pF ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. ±30V gate gerilimi toleransı ve 150°C maksimum bağlantı sıcaklığı ile geniş çalışma aralığına sahiptir. TO-220-3 paket tipinde, 165W güç tüketimi kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 8.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok