Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK17A80W,S4X

MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK17A80W

TK17A80W,S4X Hakkında

TK17A80W,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajı ve 17A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu FET, 290mOhm maksimum on-resistance değeri ile güç dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve sürücü devrelerde tercih edilir. 32nC gate charge ve 2050pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon sağlar. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 45W güç tüketebilir. İnverter, DC-DC konverter ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 850µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok