Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK170V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK170V65Z
TK170V65Z,LQ Hakkında
TK170V65Z,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim derecelendirmesine sahip olup, 25°C'de 18A sürekli drain akımı sağlar. 4-VSFN (5DFN) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 170mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) 10V gate geriliminde 9A drain akımında ölçülmüştür. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 150W maksimum güç ürünü ile çalışabilir. Düşük kapı yükü (29nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar. Motor kontrolü, enerji dönüşümü, invertör ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. Aktif parça statüsü ile tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1635 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok