Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK16V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK16V60W
TK16V60W,LVQ Hakkında
TK16V60W,LVQ, Toshiba tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. Super Junction teknolojisine sahip bu transistör, 15.8A sürekli drenaj akımı ve 190mOhm (10V, 7.9A) on-state direnci ile karakterizedir. 4-DFN-EP (8x8) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 139W güç dağıtabilme yeteneğine sahiptir. Düşük gate charge (38nC @ 10V) sayesinde hızlı komütasyon özelliği gösterir. SMPS (Switched Mode Power Supply), inverter, motor kontrol ve endüstriyel dönüştürücü devreleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok