Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK16N60W,S1VF

MOSFET N CH 600V 15.8A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
TK16N60W

TK16N60W,S1VF Hakkında

TK16N60W,S1VF, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 15.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (190mOhm @ 7.9A, 10V) sayesinde verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 130W güç dağılımı kapasitesine ve 150°C çalışma sıcaklığına sahiptir. SMPS, inverter, motor kontrol ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır. Gate charge 38nC (@ 10V) ve 3.7V eşik gerilimi hızlı komutasyon özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 790µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok