Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK16J60W5,S1VQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK16J60W5
TK16J60W5,S1VQ Hakkında
TK16J60W5,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 15.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik devrelerinde anahtar görevi görür. 230mOhm maksimum on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. 130W güç tüketimi kapasitesi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konverterler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 7.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok