Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK16G60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK16G60W
TK16G60W,RVQ Hakkında
Toshiba TK16G60W,RVQ, 600V 15.8A N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (190mOhm @ 7.9A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 130W maksimum güç dağılımı kapasitesi, yüksek sıcaklık ortamlarında (150°C'ye kadar) çalışabilme özelliği ve ±30V gate voltajı desteği ile enerji dönüştürücüler, endüstriyel sürücü devreleri, solar inverterler ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 38nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok