Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK16E60W
TK16E60W,S1VX Hakkında
Toshiba TK16E60W,S1VX, 600V 15.8A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, endüstriyel güç elektronik uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 190mΩ maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile verimli enerji tasarımı sağlar. ±30V kapı gerilimi aralığı ve 3.7V eşik gerilimi ile geniş kontrol esnekliği sunar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 130W güç dağıtabilme kapasitesi, düşük gated kapasitans (1350pF) ve 38nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama performansı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok