Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK16C60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK16C60W
TK16C60W,S1VQ Hakkında
TK16C60W,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 15.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 10V gate drive voltajında 190mOhm maksimum RDS(on) değeri, 38nC gate charge ve 1350pF input kapasitansı özellikleriyle karakterizedir. 150°C junction sıcaklığı ve 130W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Kompakt I²Pak paketajı Through-Hole monte edilir. Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.9A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok