Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK160F10N1,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK160F10N1
TK160F10N1,LXGQ Hakkında
Toshiba TK160F10N1,LXGQ, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 160A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.4mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 375W güç yayılımı kapasitesi ile güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 10V gate sürüş gerilimi ile CMOS ve TTL entegreleriyle uyumludur. Ürün yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 121 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8510 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SM(W) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok