Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK160F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK160F10N1L
TK160F10N1L,LXGQ Hakkında
TK160F10N1L,LXGQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 160A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan transistör, 2.4mΩ (10V, 80A'de) düşük On-direnç değeri ile enerji kaybını minimize eder. Maksimum 375W güç dağıtma kapasitesine ve ±20V gate gerilimi aralığına sahiptir. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Güç elektronik devreleri, motor sürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SM(W) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok