Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK14N65W5,S1F

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
TK14N65W5

TK14N65W5,S1F Hakkında

TK14N65W5,S1F, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 13.7A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 300mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Güç dönüştürücüleri, anahtar modlu güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri ve endüstriyel elektrik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C maksimum junksiyön sıcaklığı ve 130W güç disipasyonu kapasitesi ile zorlu ortamlarda çalışabilir. ±30V maksimum gate-source voltajı ve 4.5V threshold voltajı ile kolay kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 6.9A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 690µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok