Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK14G65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK14G65W
TK14G65W,RQ Hakkında
TK14G65W,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 13.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 250mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive geriliminde çalışır. 130W güç disipasyonu kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüştürme devrelerinde tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilim aralığında stabil işlem yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 690µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok