Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK14G65W5,RQ
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK14G65W5
TK14G65W5,RQ Hakkında
Toshiba TK14G65W5,RQ, 650V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 13.7A sürekli dren akımı kapasitesi ve D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı paketlemesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 300mΩ maksimum RDS(on) değeri ile 130W güç dissipasyonunu destekler. 4.5V threshold voltajı ve düşük gate charge (40nC) karakteristiği ile hızlı anahtarlama sağlar. HVDC sistemleri, motor kontrol devreleri, switched-mode güç kaynakları (SMPS) ve endüstriyel enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 690µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok