Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK14E65W,S1X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK14E65W
TK14E65W,S1X Hakkında
TK14E65W,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 13.7A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 250mΩ maksimum Rds(on) değeriyle anahtarlama devrelerinde düşük güç kaybı sağlar. 130W güç dağıtım kapasitesi ile güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 3.5V eşik gerilimi ile geniş uygulama alanında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 690µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok