Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK14C65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK14C65W
TK14C65W,S1Q Hakkında
TK14C65W,S1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V dren-kaynak gerilimi ve 13.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, 10V kapı gerilimi altında 250mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 130W güç dağılım kapasitesi ile güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak uygulanır. 35nC kapı yükü ve düşük giriş kapasitesi (1300pF @ 300V) hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 6.9A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 690µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok