Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK13E25D,S1X(S
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK13E25D
TK13E25D,S1X(S Hakkında
Toshiba tarafından üretilen TK13E25D,S1X(S, N-channel MOSFET transistördür. 250V dren-kaynak gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, invertörler, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılır. 10V kapısı sürüş gerilimi ile 250mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Maksimum 102W güç dissipasyonu kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığı ile yüksek güç uygulamalarına uygundur. ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 102W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok