Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK13A65U(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK13A65U

TK13A65U(STA4,Q,M) Hakkında

TK13A65U(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj desteği ve 13A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 10V gate-source sürüm geriliminde 380mOhm maksimum drain-source direnç (Rds On) ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığına sahiptir. 40W maksimum güç tüketimi ile medium güç uygulamalarına uygundur. Yüksek gerilim ve akım yönetimi gereken devrelerde etkili anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok