Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK13A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK13A50D

TK13A50D(STA4,Q,M) Hakkında

TK13A50D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj ve 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 45W güç tüketimi kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüşü sağlayan bu transistör, maksimum 400mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama gerçekleştirir. 1800pF giriş kapasitansi ve 38nC gate charge özellikleriyle, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate voltajı ve 150°C çalışma sıcaklığı desteği ile güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok