Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK12V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK12V60W
TK12V60W,LVQ Hakkında
Toshiba TK12V60W,LVQ, 600V 11.5A N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (300mOhm @ 5.8A, 10V) sayesinde enerji tasarrufu sağlar. 4-DFN-EP (8x8) SMD paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve DC/DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. ±30V gate voltaj aralığı ve 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygundur. 104W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım işleme yeteneklidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok