Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK12Q60W
TK12Q60W,S1VQ Hakkında
TK12Q60W,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 11.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, düşük on-direnci (340mOhm @ 10V) sayesinde güç kaybını minimize eder. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan transistör, 10V gate sürücü voltajı ile çalışır ve maksimum 100W güç tüketebilir. Endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -30V ile +30V arasında gate-source gerilimi tolere edebilir ve 150°C'ye kadar çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok