Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK12P60W
TK12P60W,RVQ(S Hakkında
TK12P60W,RVQ(S, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 11.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 340mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, AC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda transistör anahtarı olarak işlev görür. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 100W güç tüketebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok