Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK12E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK12E80W
TK12E80W,S1X Hakkında
TK12E80W,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 11.5A sürekli drain akımı sağlar. 450mOhm maksimum on-dirençi (Rds On) ile verimli anahtarlama ve düşük ısıl kayıplar sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 165W güç dağıtımı kapasitesine ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığına sahiptir. Hızlı anahtarlama hızı için optimize edilmiş 23nC gate charge değeri ile endüstriyel güç denetimi, AC-DC konvertörler, aydınlatma kontrol devreleri ve motor sürücü uygulamalarında sıklıkla tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 570µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok