Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK12E60W,S1VX
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK12E60W
TK12E60W,S1VX Hakkında
TK12E60W,S1VX, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drenaj-kaynak gerilimi ve 11.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi sayesinde düşük RDS(on) değeri (300mOhm @ 5.8A, 10V) sunar. TO-220-3 paket tipi ile kullanımı kolaydır. Anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerde tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 110W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok