Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK12A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK12A80W
TK12A80W,S4X Hakkında
Toshiba TK12A80W,S4X, 800V yüksek gerilim N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 450mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 23nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen bu transistör, 150°C'ye kadar sıcaklıklarda kullanılabilir. Güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 570µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok