Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK12A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK12A60W
TK12A60W,S4VX Hakkında
TK12A60W,S4VX, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 600V dren-kaynak geriliminde 11.5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde temin edilen transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10V kapı geriliminde 300mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 25nC gate charge ve 890pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 35W güç tüketimi kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında da güvenilir çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreler ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok