Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK12A60U(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK12A60U
TK12A60U(Q,M) Hakkında
TK12A60U(Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketlemesi ile through-hole montaja uygun olan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve invertör tasarımlarında kullanılır. 10V gate geriliminde 400mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 35W güç dağıtabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok