Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK12A50E,S5X
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK12A50E
TK12A50E,S5X Hakkında
TK12A50E,S5X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli drenaj akımı (Id) özellikleriyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve enerji yönetimi sistemlerinde yer alır. 10V sürücü geriliminde 520mΩ on-direnci, 40nC kapaket yükü ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile tasarlanmıştır. ±30V gate-source gerilimi sınırlaması ve 45W maksimum güç kaybı derecelendirmesi ile yüksek voltajlı uygulamalara uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok