Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK125V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK125V65Z
TK125V65Z,LQ Hakkında
TK125V65Z,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 24A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 125mΩ (10V, 12A koşullarında) on-state direnci ile verimli güç dönüşüm devrelerinde uygulanır. 40nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 4-DFN-EP (8x8mm) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, ±30V gate-source gerilim aralığında çalışır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. İnverter devrelerine, motor sürücülerine, güç kaynağı uygulamalarına ve endüstriyel anahtarlama devrelerine yaygın olarak entegre edilir. 190W maksimum güç saçılımı kapasitesi ile termal yönetimi etkin bir tasarım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.02mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok