Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK11S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK11S10N1L
TK11S10N1L,LXHQ Hakkında
Toshiba TK11S10N1L,LXHQ, 100V 11A N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 28mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. 175°C'ye kadar çalışabilir ve maksimum 65W güç dissipasyonu gerçekleştirebilir. 4.5V drive voltajında optimize edilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. ±20V gate voltaj aralığı ile geniş uyumluluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok