Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK11P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK11P65W
TK11P65W,RQ Hakkında
TK11P65W,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11.1A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi sayesinde güç yönetimi, anahtarlama ve sürücü devrelerinde tercih edilir. 440mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 100W maksimum güç dağılımı kabiliyeti ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güvenilir performans sağlar. TO-252 (DPAK) paket tipi, kompakt PCB tasarımları için uygundur. Invertör devreleri, motor kontrol, AC/DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok