Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK11A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK11A65W
TK11A65W,S5X Hakkında
TK11A65W,S5X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu bileşen, 11.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 390mOhm açık devre direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. 10V gate sürüş gerilimi ile uyumlu olup, ±30V maksimum gate gerilim aralığında çalışabilir. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında 35W güç yayabilme kapasitesine sahiptir. Düşük gate yükü (25nC) ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok