Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK11A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK11A60D
TK11A60D(STA4,Q,M) Hakkında
TK11A60D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yer alır. 650mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ve 28nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±30V gate-source voltaj aralığında çalışabilen bileşen, 150°C maksimum junction sıcaklığında 45W güç üretebildiği için endüstriyel ve ticari elektrik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok