Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK11A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK11A55D
TK11A55D(STA4,Q,M) Hakkında
TK11A55D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketi ile Through Hole montajına uygun olan bu komponent, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 630mΩ maksimum kanal direnci, 25nC gate charge ve ±30V gate gerilimi özellikleri ile güvenilir anahtarlama performansı sağlar. 150°C işletme sıcaklığında 45W güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok