Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK11A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK11A50D
TK11A50D(STA4,Q,M) Hakkında
TK11A50D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source geriliminde 11A sürekli akım yeteneğine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı gerilimi ile maksimum 600mOhm On-State Resistance (RDS(on)) değerine ulaşır. 45W güç yayılma kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Gate charge karakteristiği 24nC olup, hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, ışık söndürme devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. ±30V kapı gerilimi aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok