Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK11A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK11A45D
TK11A45D(STA4,Q,M) Hakkında
TK11A45D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 450V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 620mOhm (10V, 5.5A'de) olup, 40W güç dissipasyonuna kapaklıdır. 20nC gate charge ve 1050pF input capacitance özellikleriyle anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücü ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok