Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK110U65Z,RQ
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK110U65Z
TK110U65Z,RQ Hakkında
TK110U65Z,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. DTMOS VI teknolojisine dayanan bu bileşen, 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 190W güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel dönüştürücüler ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 8-PowerSFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımları destekler. -30V ile +30V arası gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar operating sıcaklığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TOLL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.02mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok