Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK110A65Z,S4X

MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK110A65Z

TK110A65Z,S4X Hakkında

TK110A65Z,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 24A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç denetim işlevlerini yerine getirir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertör devreleri, motor kontrol uygulamaları ve elektrik transformatör kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 110mΩ maksimum on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. ±30V maksimum gate-source voltajı ile esnek sürülüş gereksinimleri destekler. 45W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlara uyarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.02mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok