Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10V60W
TK10V60W,LVQ Hakkında
TK10V60W,LVQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 9.7A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisine sahip bu bileşen, 10V kapı geriliminde 380mOhm düşük on-direnci sunarak verimli güç dönüşümü sağlar. 4-DFN-EP (8x8) yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, switching uygulamaları ve hızlı anahtarlama gerektiren sistemlerde tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışabilir ve 88.3W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok