Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10Q60W
TK10Q60W,S1VQ Hakkında
TK10Q60W,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 9.7A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde, UPS sistemlerinde ve enerji aktarım uygulamalarında tercih edilir. 430mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 80W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok