Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10P60W
TK10P60W,RVQ Hakkında
Toshiba TK10P60W,RVQ, 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile üretilen bu bileşen, 9.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulmakta olup, maksimum 150°C çalışma sıcaklığında ve 80W güç dağılımında çalışabilir. 430mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük açılış direnci sunar. 600V yüksek voltaj dayanımı sayesinde anahtarlama uygulamalarında, çevirici devrelerde, güç yönetimi ve düzenleme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 20nC gate charge ve 700pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon ve düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok