Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10J80E,S1E
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10J80E
TK10J80E,S1E Hakkında
TK10J80E,S1E, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. 1Ω (10V, 5A) maksimum On-direnç (Rds On) değeri ile verimli çalışma sağlar. 150°C çalışma sıcaklığında 250W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. ±30V gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok